韩媒对长鑫存储良率调侃，网友称其进步超越理解
在9月10日的报道中，韩国媒体对中国领先的DRAM制造商长鑫存储（CXMT）进行嘲讽，声称其高带宽内存（HBM）的良品率仅为25%，这意味着四颗芯片中有三颗被视为废品。媒体提到，SK海力士经过四年的努力才将良率提升到90%。在半导体行业，通常80%的良率才被认为是盈利的量产标准。报道强调了长鑫在TSV（硅通孔）技术上的挑战，这项工艺涉及到将裸片进行减薄和孔加工，再垂直堆叠多层，难度显著高于普通DRAM。然而，媒体没有指出的是，长鑫25%的良率其实是在试产阶段的正常范围内。
长鑫的晶圆前端良率大约在30%左右，经过后端封装测试后综合得出20%-25%的数字。此外，长鑫的样品已被送往阿里平头哥、寒武纪和华为昇腾进行验证。在当前AI算力需求迫切的背景下，能成功生产并向客户提供样品，比短期的良率数据更具战略价值。
实际上，尽管韩媒只关注长鑫现阶段的不足，但并未提及其快速进步。从2016年成立之初需要进口17nm DRAM，到预计2024年实现自研17nm DRAM的量产，以及在2026年开始HBM3的试产，长鑫的进展在全球存储行业中相对快速，其他企业难以追赶。 球友会
虽然长鑫面临TSV技术的挑战，但国内的封测和材料产业正在围绕HBM的需求迅速发展，相关的国产供应链正在逐步建立。从25%的良率提升到50%甚至80%并非不可能，长鑫的进展可能会比SK海力士更快，因为其背后有来自国产AI芯片的强烈需求支撑。
韩媒的批评和国内的支持形成了鲜明对比，反映出对于技术代差和良率短板的不同看法。虽然普通消费者可能与HBM无关，但它在AI训练和推理中至关重要。长鑫目前的良率较低，但如果未来出现对美韩供应的彻底断供，长鑫将有可能保持其发展优势。
网友对此讨论热烈，一些人并不在意长鑫的现状，认为实际情况会随着时间变化，而有行业专家指出，TSV工艺的稳定需要多年的经验积累，且长鑫计划在未来进行更多的尝试与改进。 球友会
